26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)

山本 陽; 斎藤 弘智; 近藤 俊行; 方 炯軫; 丸山 隆浩; 成塚 重弥

doi:10.19009/jjacg.31.3_227

山本陽, 斎藤弘智, 近藤俊行, 方炯軫, 丸山隆浩, 成塚重弥

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ジャーナルフリー

2004 年 31 巻 3 号 p. 227-

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.31.3_227

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抄録

GaAs (001) surfaces were nitrized by using RF-MBE in order to fabricate a NANO-lithography mask. The RMS roughness of the mask has relationship with the formation of the nano particles on the surface concerned with As evaporation and Ga migration.

責任著者(Corresponding author)

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