外部電場印加による非調和融解状態の調和融解化 : 非調和融解ランガサイト結晶の調和融解成長
2005 年 32 巻 4 号 p. 325-333
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2005 年 32 巻 4 号 p. 325-333
ランガサイト(La_3Ga_5SiO_<14>)は,非調和融解物質であるが,ランガサイト種子結晶を使用すると適切な過冷却度のもとにいわゆる擬似調和融解融液から直接単結晶を育成することができる.しかしながら,非調和融解性に起因する多結晶化が育成中に頻繁に発生するという深刻な問題がある.この問題を根本的に解決するには,ランガサイトの非調和融解状態を何らかの方法で調和融解状態に変換する必要がある.成長系に外部電場を印加すると関連する平衡共存相の化学ポテンシャルの修飾によりエネルギー関係が変わり,非調和融解状態が調和融解状態に変わる可能性がある.たとえば,ランガサイトは,600V/cmの電界下で調和融解状態に変換される.これは,融液と初晶相(Gaを含むランタンシリケート相)の共存状態とランガサイト組成の融液の自由エネルギーの大きさの関係が電場により逆転するからである.このような変換の可能性は,これらの相の誘電率の変化が初晶相側端成分に向かって増加する場合に見られる.
