シャープ株式会社ソーラーシステム開発本部次世代要素技術開発センター
2010 年 36 巻 4 号 p. 290-295
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Ge基板に格子整合したInGaP/InGaAs/Ge3接合型太陽電池は高効率と高信頼性から既に宇宙用として実用化されており,地上用として集光システムへの応用が期待されている.今後,3接合太陽電池の更なる高効率化のためには,格子不整合材料を用いてのバンドギャップエネルギーの最適な組合せが要求される.MOCVD法を用いて成長される格子整合系および格子不整合系の3接合太陽電池において,高効率化のための結晶成長技術について述べる.
