佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所
2013 年 39 巻 4 号 p. 158-163
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ダイヤモンド半導体は,パワーデバイス応用に最も適した材料である.しかし,ドナー,アクセプタ不純物,無欠陥,無結晶丘の大面積ウエファー単結晶などの解決すべき結晶成長の課題が残されている.特に欠陥や結晶丘の生成機構や成長表面の機構は明らかになっていない.しかし高濃度の正孔チャンネルが熱的安定化できるようになり,デバイス特性はようやく実用水準に達した.
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