プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(<特集>ダイヤモンド成長)
2013 年 39 巻 4 号 p. 185-189
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2013 年 39 巻 4 号 p. 185-189
我々はマイクロ波プラズマ化学気相堆積法を用いたダイヤモンド(111)のホモエピタキシャル成長モードの制御に関して取り組んできた.その結果,テラス上での2次元核形成を完全に抑制し,ステップ端のみを成長の起点にしたラテラル成長を実現した.メサ構造を持つ単結晶ダイヤモンド(111)基板を用いて,そのラテラル成長を行うことで,100×100μm^2のメサ表面上に原子レベルで完全に平坦なステップフリーダイヤモンド(111)表面を形成することに成功した.一方,同一基板上のメサ表面では成長丘も観察された.その成長丘は,螺旋転位や混合転位を核としたスパイラル成長により形成されることを明らかにした.
