日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
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MPBおよびドメイン制御による高性能圧電体の開発
和田 智志藤井 一郎上野 慎太郎
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2024 年 51 巻 1 号 論文ID: 51-1-05

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抄録

  In piezoelectric materials, there are two mechanisms for improving piezoelectric properties: the morphotropic phase boundary (MPB) mechanism and the domain engineering mechanism. In this paper, we will explain in detail the two mechanisms for improving piezoelectric properties and also the origin of piezoelectric properties. We also explain the origins of intrinsic and extrinsic piezoelectric properties. Future material design direction for development of high-performance lead-free piezoelectric materials will be explained here.

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© 2024 日本結晶成長学会
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