日本物理学会講演概要集
Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803
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26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
田中 悟青柳 克信
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p. 379-

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© 1998 日本物理学会
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