日本物理学会講演概要集
Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803
会議情報
17pRE-17 ホットウォール法による原子空孔配列化合物半導体In_2Se_3薄膜の作製とその光物性
大嶋 将史山田 太一三野 弘文嶽山 正二郎
著者情報
会議録・要旨集 フリー

p. 582-

詳細
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2001 日本物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top