日本物理学会講演概要集
Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803
セッションID: 6pPSB-25
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6pPSB-25 シアン処理によるMOS構造のリーク電流密度の低減効果(表面界面結晶成長,領域9)
毎田 修, 浅野 明, 長山, 小林 光
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