26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 26pXC-2

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.60.1.4.0_869_2

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26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

白澤徹郎, 水野清義, 栃原浩

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