20pXA-6 UHV-TEMによる極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程の評価(II)(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 20pXA-6

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.60.2.4.0_745_1

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20pXA-6 UHV-TEMによる極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程の評価(II)(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))

趙星彪, 川野晋司, 田中信夫

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