日本物理学会講演概要集
Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803
セッションID: 25pTD-1
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25pTD-1 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si(111)超平坦界面構造の創製(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
金 佑柄松本 健俊小林 光
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© 2008 日本物理学会
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