25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 25pRA-4

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.64.2.3.0_333_3

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25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)

合田義弘, 常行真司

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