25aTH-8 エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 25aTH-8

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_905_2

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25aTH-8 エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

蟹澤聖

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