21pTD-3 FI-ESR法によるDNTT薄膜トランジスタの微量不純物分析(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 21pTD-3

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.66.2.4.0_843_3

会議情報

21pTD-3 FI-ESR法によるDNTT薄膜トランジスタの微量不純物分析(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

高橋永次, 松井弘之, 瀧宮和男, 長谷川達生

著者情報

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2011 日本物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

前身誌

日本物理学会年会講演予稿集

年会予稿集

年会講演予稿集

日本物理学会講演概要集. 年会

日本物理学会分科会講演予稿集

日本物理学会春季分科会講演予稿集

春の分科会予稿集

春の分科会講演予稿集

秋の分科会予稿集

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会

Top