遷移金属カルコゲナイドにおける磁気抵抗効果

抄録

スピン自由度とバレー自由度の排他的結合は遷移金属カルコゲナイド(TMD)の持つ最も重要な特徴の一つである。スピンの散乱を伴う電気伝導では一般的に特徴的な磁気抵抗効果が出現する。本研究ではTMDにおける磁気抵抗効果を観測し、スピンとバレーの結合が電気伝導に与える影響を考察する。