NbSe₂二次元結晶電気二重層トランジスタにおける超伝導転移制御

抄録

グラフェンをはじめとする二次元結晶は、ナノメートル厚み故に、表面あるいは界面がその物性に大きな影響を与える。表面・界面を操作する最も効果的なデバイス構造が電界効果型トランジスタであり、さらに電気化学的界面を導入した電気二重層トランジスタ（EDLT）はその制御性を高めている。我々は超伝導転移を示すNbSe_2_に着目、スコッチテープ法を用いて得られた膜厚7nm以下の超薄膜についてEDLT構造を作製した。ゲート電圧の印加により電界効果キャリアドーピング、さらに電気化学的エッチングが実現し、超伝導転移温度の変調を達成できたので報告する。