軌道角運動量を持つ光渦による半導体GaAsのキャリア励起選択則

抄録

半導体の光学応答では,光の角運動量が電子系の角運動量に伝達される際の角運動量保存則に由来する光学選択則が存在するが、従来光の角運動量としては円偏光のヘリシティのみが考えられてきた.ところが，光渦といった軌道角運動量を持つ光を想定すると光の軌道角運動量も電子の角運動量に寄与することが期待される.そこで本発表では光渦による半導体での光学選択則を明らかにし,光渦と半導体中の電子の相互作用について検証する.