キャリアドープした二次元銅酸化物モット絶縁体における高強度テラヘルツ電場効果

抄録

強相関電子系における高強度テラヘルツ波誘起相転移は、ナローギャップなモット絶縁体や、メタマテリアルを用いて電場を増強する場合において観測されてきた。La_2_CuO_4_などの二次元銅酸化物モット絶縁体は、ギャップは2eV程度と比較的大きいが、元素置換によってキャリアをドープすることができる。ドープ濃度が低い場合キャリアは局在化するが、このようなキャリアにテラヘルツ電場を印加することで、衝突イオン化やトンネルイオン化による絶縁体-金属転移が生じることが期待される。このような期待の元、我々は、ホールをドープした二次元銅酸化物La_2-x_Sr_x_CuO_4_において、テラヘルツポンプ・光プローブ分光測定を行った。講演ではその結果について議論する。