銀/アモルファス硫化ゲルマニウムの光誘起反射率測定－薄膜表面における金属－半導体転移の観測

抄録

銀/アモルファス硫化ゲルマニウム薄膜に光を照射すると、銀がアモルファス硫化ゲルマニウム膜中に拡散する。このとき銀がどのように拡散していくのか、その反応ダイナミクスを明らかにするため、我々は時分割中性子反射率測定を行っているが、現状装置の測定精度の限界もあり、銀膜が薄くなり、遂には消失する過程を十分に追いきれていない。これを補う目的で、今回、光誘起反射率測定を行ったので、その結果を報告する。測定の結果、光照射により、反射率が金属的なものから半導体的なものへと変化することを捉えることができた。