コヒーレントフォノン生成量子ダイナミクスにおけるパルスレーザー依存性

抄録

本研究では、半導体における量子効果を伴うコヒーレントフォノン（CP）生成ダイナミクスに対して、過渡的準粒子描像に基づく全量子力学的理論構築を行った。当該描像に基づき、n型SiのCP生成初期過程において観測された過渡的Fano共鳴スペクトルおよび、フォノン変位とその初期位相の解析を行った。講演では、これら物理量のパルスレーザー依存性について報告する。