グラフェン上に作製したNbSe₂薄膜の高分解能ARPES

抄録

バルクの2H-NbSe_2_は約33K以下でCDW相へ転移することが知られているが、膜厚の減少に伴うCDWの変化については未解明である。今回我々は、2層グラフェン上にMBE法により単層及び多層のNbSe_2_薄膜を作製し、それらの電子状態を高分解能ARPESによって測定した。講演では、詳細な電子構造の実験結果を報告するとともに、膜厚に依存したCDWの変化について議論する。