主催: 一般社団法人日本物理学会
会議名: 2016年度日本物理学会秋季大会
開催日: 2016/09/13 - 2016/09/24
最近、半導体の一つであるSnSeで、無次元性能指数ZT=2.6という高い熱電効果が実験的に報告され、それ以来、SnSeに対する研究は精力的に行われている。我々の研究では、第一原理バンド計算およびBoltzmann方程式を用いて、SnSeの電気伝導度やSeebeck係数などの評価を行い、概ね実験を再現するような結果を得ることができた。その後、キャリアドープを仮想的に行った場合についても計算を行い、ZTを上昇させるいくつかの可能性を示唆する結果を得た。今回の発表では、それらの結果を紹介するとともに、理論的背景についても述べる。