計数型 SOI TEG の放射光 X 線による評価(2)

抄録

KEK/PF では Silicon-On-Insulator (SOI) 技術を用いたモノリシック構造の二次元検出器の開発を進めている。バンプボンディングによる製造上の制約や静電容量の付加を抑えられる等の SOI の特徴をいかし、X 線回折や X 線小角散乱に用いるための高精細・高速応答可能な検出器の開発を目指す。本講演では、中国高能研と共同研究として評価を進めているパルス計数型 SOI TEG 「CPIXTEG3b」の放射光 X 線による評価実験について進捗を報告する。