液晶乱流によるKPZ半空間問題へのアプローチ

抄録

成長する界面を記述するKPZ普遍クラスは近年理解が進んでおり、注目を集めている。半空間に対する理論の研究からは、ゆらぎの性質がGSEランダム行列の統計則にしたがうことが示されているが、実験的には未検証である。そこで我々はKPZクラスに属することが知られている液晶乱流系に対して、フォトリソグラフィ技術を応用して系を二つに分け、接触した成長速度が異なる2つの界面を成長させることで、この問題に実験的にアプローチしている。本講演では測定で得られたゆらぎの性質や界面の平均形状について紹介する。