局在基底を用いた第一原理非平衡Green関数法によるナノデバイスの電流密度計算における電極及び非局所ポテンシャルの効果

抄録

ナノデバイスの電気伝導現象の微視的な描像からの理解のために、第一原理計算によるデバイス中の電流密度を調べることは有効である。我々はそのような目的のために局在基底を用いた第一原理計算プログラムパッケージOpenMXに非平衡Green関数法を用いた電流密度解析機能を実装し、いくつかの物質に適用した。その際、従来提案されていた方法では電極部分に配置された局在基底の影響がきちんと取り入れられておらず、それらの電極近傍の電流密度が不正確となることが分かった。本発表ではこの困難を取り除くために我々が開発した手法について述べる。