3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 19aB43-7

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.75.1.0_2305

会議情報

主催: 一般社団法人日本物理学会

会議名: 2020年度日本物理学会第75回年次大会

開催日: 2020/03/16 - 2020/03/19

2020年度日本物理学会第75回年次大会

3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

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キーワード: 格子欠陥・ナノ構造, 半導体

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