2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移(半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在))
伊藤 公平, 武藤 準一郎, E. E. Haller, T. Shutt, A. Cummings, W. Stockwell, B. Sadoulet, L. A. Reichertz, E. Kreysa, J. W. Farmer, V. I. Ozhogin
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