Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))

日本物理学会年会講演予稿集

Online ISSN : 2433-1163

セッションID: 5p-E-9

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.4.0_271

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Si-SiO_2境界面の性質III : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))

松倉保夫, 三浦義雄

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