ゾルゲル法による酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18p-TR-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1195

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

ゾルゲル法による酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製

*奥村優作, 徳光永輔

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キーワード: 18p-TR-1, 薄膜・表面, 強誘電体薄膜, 酸化物半導体

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