パワーデバイス評価のための高電圧C-V, DLTS装置の開発

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19p-C-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2743

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

パワーデバイス評価のための高電圧C-V, DLTS装置の開発

*伊藤成志, 井上剛, 坂根仁, 矢野泰弘, 中井雅文, 永江陽一, 徳田豊

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キーワード: 19p-C-4, 半導体A（シリコン）, 基礎物性・評価, DLTS, ダイオード, パワーデバイス

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