希土類酸化物をキャップすることによるMOSFETの電気特性の改善

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-P11-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2805

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

希土類酸化物をキャップすることによるMOSFETの電気特性の改善

*幸田みゆき, 角嶋邦之, Ahmet Parhat, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋

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キーワード: 19a-P11-15, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, 希土類酸化物

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