High-ｋ膜の界面SiO<sub>2</sub>膜による特性変化の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-P11-27

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2817

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

High-ｋ膜の界面SiO₂膜による特性変化の検討

*岩崎好孝, 若松宏一, 永塚泰明, 上野智雄

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キーワード: 19a-P11-27, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, HfO2 films

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