monoclinic HfO<sub>2</sub>結晶中の酸素欠陥準位のHybrid-DFT+U法とGW計算を用いた第一原理計算による解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20a-P16-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2854

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

monoclinic HfO₂結晶中の酸素欠陥準位のHybrid-DFT+U法とGW計算を用いた第一原理計算による解析

*池田稔, 山崎隆浩, 金田千穂子

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キーワード: 20a-P16-14, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, HfO2, 酸素欠損, 第一原理計算

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