S/D付近の高濃度領域によるVthばらつきの異常基板バイアス依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17a-A-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2939

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

S/D付近の高濃度領域によるVthばらつきの異常基板バイアス依存性

*山戸一郎, 平本俊郎

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キーワード: 17a-A-3, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, しきい値電圧ばらつき

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