イオンチャネリングによる鉄シリサイド・ホイスラー合金/Ge(111)界面の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18p-TM-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3010

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

イオンチャネリングによる鉄シリサイド・ホイスラー合金/Ge(111)界面の評価

*前田佳均, 池田達哉, 鳴海一雅, 寺井慶和, 佐道泰造, 浜屋宏平, 宮尾正信

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キーワード: 18p-TM-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 探索的材料物性, Heusler alloy

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