Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-TK-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3122

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性

*寺尾良輔, 金澤徹, 斉藤尚史, 若林和也, 池田俊介

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キーワード: 19a-TK-2, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, 半導体

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