GaAsN中のN-H複合欠陥形成過程の重水素置換N原料を用いた検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18p-TW-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3368

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

GaAsN中のN-H複合欠陥形成過程の重水素置換N原料を用いた検討

*田中友博, 鈴木秀俊, 小島信晃, 大下祥雄, 山口真史

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キーワード: 18p-TW-11, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, 半導体

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