InP基板上CドープIn<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As<sub>1-<i>y</i></sub>Sb<sub><i>y</i></sub>のMOCVD成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-TW-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3378

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

InP基板上CドープIn_xGa_1-xAs_1-ySb_yのMOCVD成長

*星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜, 栗島賢二, 井田実, 山幡章司

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キーワード: 19a-TW-6, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, C-doped, InGaAsSb, MOCVD

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