定電流ストレス印加におけるSiO<sub>2</sub> の高温劣化特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-S-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2527

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

定電流ストレス印加におけるSiO₂ の高温劣化特性

*染谷満, 蓮沼隆, 荻野正明, 栗林均, 菅原紀之, 山部紀久夫

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キーワード: 16a-S-3, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, 高温特性, 信頼性

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