極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-ZV-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3078

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

*新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之

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キーワード: 14p-ZV-2, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, GaAsN, 一軸応力, 等電子トラップ

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