陽極酸化法による4H-SiCショットキーダイオードの整流特性の改善

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-ZS-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3332

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

陽極酸化法による4H-SiCショットキーダイオードの整流特性の改善

*木村允哉, 加藤正史, 市村正也

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キーワード: 14p-ZS-14, 結晶工学, IV族系化合物, 4H-SiC, ショットキーダイオード

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