イオン注入・拡散フリー新構造InP/InGaAsアバランシェフォトダイオード

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-H-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_881

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

イオン注入・拡散フリー新構造InP/InGaAsアバランシェフォトダイオード

*名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 重川直輝

著者情報

キーワード: 17p-H-2, 光エレクトロニクス, 半導体レーザー・発光/受光素子, アバランシェフォトダイオード, イオン注入フリー, 拡散フリー

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2010 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top