InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-P8-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1157

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性

*三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦

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キーワード: 27a-P8-6, 光エレクトロニクス, 半導体レーザー・発光/受光素子, 選択成長, 量子ドット

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