酸化物ナノ構造体による不揮発性抵抗スイッチング現象評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26a-KT-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2021

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

酸化物ナノ構造体による不揮発性抵抗スイッチング現象評価

*長島一樹, 柳田剛, 岡敬祐, 金井真樹, Jin-soo Kim, Bae Ho Park, 川合知二

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キーワード: 26a-KT-3, 応用物性, ナノエレクトロニクス, 酸化物ナノ構造, 抵抗スイッチング, 不揮発性メモリ

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