SiN<sub>x</sub>絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26a-KT-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2024

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

SiN_x絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価

*村松徹, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也

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キーワード: 26a-KT-6, 応用物性, ナノエレクトロニクス, ナノワイヤFET

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