XPS時間依存測定法によるSiO<sub>2</sub>/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25p-KW-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2938

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価

*石原由梨, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之

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キーワード: 25p-KW-5, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, Interface, SiO2, XPS

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