硬X線光電子分光法による金属電極/GeO<sub>2</sub>絶縁膜界面反応の解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26p-KW-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2980

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

硬X線光電子分光法による金属電極/GeO₂絶縁膜界面反応の解析

*小川慎吾, 須田泰市, 山元隆志, 秀島伊織, 朽木克博, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 26p-KW-16, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, GeO2, MOSFET, 硬X線光電子分光

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