Trench-Gate型高耐圧MOSFETの為の回路シミュレーション用ドリフト抵抗モデル

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26p-KS-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3175

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Trench-Gate型高耐圧MOSFETの為の回路シミュレーション用ドリフト抵抗モデル

*福島賢治, 田中昭洋, 三浦道子

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キーワード: 26p-KS-17, 半導体A（シリコン）, シミュレーション, power MOSFET

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