高InNモル分率GaInN-channel AlGaN/GaInN/GaN HFETの特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26a-P6-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3295

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

高InNモル分率GaInN-channel AlGaN/GaInN/GaN HFETの特性

*一木宏充, 磯部康裕, 榊原辰幸, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

著者情報

キーワード: 26a-P6-3, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, FET, GaInN

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2011 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top